안녕하세요. 달차 입니다.
이번엔 AlN (알루미늄 나이트라이드) 에 대해서 기본적인 사항에 대해서 알아보겠습니다.
지난 포스팅에서 AlN 의 가능성에 대해서 알아봤는데, 이게 어떻게 생긴것인가 궁급했습니다.
그래서 2탄으로 준비해 봤습니다.
알루미늄 나이트라이드(AlN) 세라믹 한눈에 이해하기
알루미늄 나이트라이드(Aluminum Nitride, AlN)는 육방정계 위르츠석 구조(hexagonal wurtzite structure)를 가진 공유결합 화합물이다. 격자 상수는 a = 0.3110 nm, c = 0.4978 nm이며, Al 원자는 육방 밀집 배열을 이루고, N 원자는 사면체의 절반 공간을 차지한다. Al 원자는 인접한 N 원자와 왜곡된 [AlN₄] 사면체를 형성하며, C축 방향의 Al-N 결합 길이는 0.1917 nm이고, 나머지 세 방향의 Al-N 결합 길이는 0.1885 nm이다. 순수한 AlN 세라믹은 무색 투명하지만, 불순물이 섞이면 다양한 색상을 띠며, 일반적으로 회색, 회백색 또는 옅은 황색을 나타낸다.
1. 알루미늄 나이트라이드 세라믹의 발전 역사
- 1862년 – F. Briegler와 A. Geuther가 AlN을 발견함.
- 1877년 – J. W. Mallets가 최초로 AlN을 합성함. 당시 AlN은 질소 고정제(nitrogen-fixing agent)로 사용됨.
- 1950년대 – AlN 세라믹 재료 등장. 고온 내식성이 우수하지만, 밀도가 낮고 강도가 낮아 내화재로 알루미늄 및 알루미늄 합금 용해에 사용됨.
- 1970년대 중후반 – 고밀도의 AlN 세라믹이 제조되었으며, 우수한 열 및 전기적 특성이 주목받으며 연구가 활발해짐.
- 1990년대 초반 – 고품질 AlN 기판 및 패키징 재료 등장. 일본과 미국 등 선진국에서 산업화가 진행됨.
- 현재 – AlN 기판이 전자 패키징의 일반적인 재료로 자리 잡았으며, 중국에서도 연구 및 산업화가 빠르게 발전함.
2. 알루미늄 나이트라이드의 제조 방법
AlN 제조 기술은 직접 질화법, 탄소열 환원법, 고에너지 볼밀링법, 고온 자전 합성법, 원위치 자발 반응 합성법, 졸-겔법 등이 있다. 현재 산업화가 이루어진 주요 제조 기술은 직접 질화법, 탄소열 환원법, 자전 합성법, 원위치 합성법, 화학 기상 증착법(CVD) 등이 있다.
제조방법 | Advantage | Disadvantage | 해결 방안 |
직접 질화법 | 원료가 풍부, 공정 간단, 불순물 없음, 저에너지 소비, 대량 생산 가능 | 수율 낮음, 입자 응집 발생, 불규칙한 입자 형상, 입도 분포가 넓음 | 공정 최적화, 적절한 첨가제 추가 |
탄소열 환원법 | 원료 풍부, 공정 간단, 고순도 분말, 미세 입자 및 균일한 분포 | 합성 시간 김, 높은 질화 온도 필요, 탄소 불순물 제거 필요, 높은 생산 비용 | 고품질 원료 사용, 혼합 공정 개선, 반응성이 높은 원료 사용 |
고에너지 볼밀링법 | 장비 간단, 생산 효율 높음 | 불순물 혼입 가능, 분말 품질 저하 | 내마모성 장비 사용, 불순물 감소 |
고온 자전 합성법 | 외부 열원 불필요, 에너지 절약, 저비용 | 반응이 격렬하고 제어 어려움, 입자 응집 발생 | 분산제 추가, 반응 열 조절 |
화학 기상 증착법 (CVD) | 고순도, 미세 입자, 나노화 가능 | 장비 비용 높음, 생산 효율 낮음 | - |
3. 알루미늄 나이트라이드의 특성
1) 열적 특성
- 단결정 AlN의 열전도율 이론값: 320 W/(m·K)
- 실온에서의 열전도율은 Al₂O₃보다 수 배 높으며, BeO와 유사하지만 독성이 없음
- 실온에서의 열팽창 계수: 4.5 × 10⁻⁶ ˚C, 이는 실리콘(3.5~4 × 10⁻⁶ ˚C)과 유사
2) 전기적 특성
- 실온에서 우수한 절연체, 전기 저항률: 10¹⁶ Ω·m
- 절연 파괴 강도: 15 kV/mm
- 유전율: 8.9 F/m (1 MHz 기준)
- 유전 손실: (3~10) × 10⁻⁴ (1 MHz 기준)
3) 기계적 특성
- 경도: 12 GPa
- 밀도(이론값): 3.26 g/cm³
- 탄성 계수(Young’s modulus): 308 GPa
- 굽힘 강도: 300 MPa
- 1300°C에서 고온 강도 저하율이 20% 이내로 낮음
4) 화학적 특성
- 고온 내식성 우수, GaAs(갈륨비소) 용융체에서도 안정
- Al, Cu, Ni 등의 금속이 AlN을 침투하지 못함
- 700~800°C에서 산화 시작, 실온에서 산화 문제 없음
- 공기 중 수분과 반응할 수 있으므로 건조한 환경에서 보관 필요
4. 알루미늄 나이트라이드의 응용 분야
- 패키징 및 방열 기판
- 전력 반도체, 대규모 집적 회로, 고출력 LED, 레이저 다이오드 등의 기판
- 반도체 장비 부품
- 정전 척(ESC), AlN 히터(Heater), 세라믹 노즐, 고온 내식 부품
- 열전도 충전재
- 수지 및 플라스틱의 열전도성 향상을 위한 첨가제
- 반도체 웨이퍼 및 광전자 소자
- 고전력, 고주파 전자 소자 및 UV 검출기, UV 레이저, 심자외선 LED 등의 기판
- 열교환 부품
- 고온 내식성 및 내열 충격성이 우수하여 선박용 가스터빈 열교환기, 내연기관 부품
- 고온 내화재
- 알루미늄, 칼슘 등과 반응하지 않음, 도가니, 보호관, 주조 몰드 등으로 사용
- 광학 부품
- 적외선 창 및 IR 유도체로 활용
- 압전 박막
- SAW 필터 및 압전 MEMS 센서
이렇게 질화 알루미늄은 많은 곳에 사용이 가능합니다.
그럼 좋은 하루 되세요.
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